廠家淺談濺射鍍膜

　　濺射鍍膜：用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。

　　濺射現象于1870年開始用于鍍膜技術，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業生產。通常將欲沉積的材料制成板材——靶,固定在陰極上。基片置于正對靶面的陽極上,距靶幾厘米。系統抽至高真空后充入 10-1帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。沉積絕緣膜可采用高頻濺射法。基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。

　　高頻電源一端接地，一端通過匹配網絡和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。